奈米碳網圖形化完成之後，利用化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition, CVD）蒸鍍 Parylene-C 進行表面的覆蓋封裝，Parylene-C 厚度約為6μm。再來進行轉印之動作，因奈米碳網與Parylene-C 均為高透明性材料，須在轉印前進行定位圖形之製作以免轉印後失去圖形化之位置，使用光阻AZ-5214 進行圖形化之塗佈，再利用E-Beam 進行金屬之鍍層後，清洗光阻以除去附著於光阻上之金屬，留下未塗佈光阻部分之金屬即完成轉印用之圖形化。
接著使用PMDS 進行晶圓元件上之奈米碳網轉印，將 PDMS 塗佈於 Parylene-C 上凝固後剝離完成轉印。轉印完之奈米碳網表面進行AZ-5214 光阻塗佈，並進行電極部分圖形化後，使用電束蒸鍍機（E-Beam Source）做電極金屬之鍍層，鍍層完成後清洗光阻以完成電極圖形化。再從電極部分接出導線並將電極部分以Parylene-C 進行封裝，即完成陣列觸控面板之電阻導電層，完整之觸控面板須有兩層導電層，故同上步驟完成另一層導電層，再將上下兩層導電層以奈米碳網面相對，並於中間加上阻隔層（Dot spacer），即完成四線型電阻式觸控面板。
研究提供 : 國立高雄應用科技大學 機械工程系鄭偉順、黃世疇、林品洋 -- 奈米碳網於觸控面板感測器之應用研究
